特許
J-GLOBAL ID：201203075490027204
試験装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
多田 繁範
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-035073
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174873
出願日： 2011年02月21日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：
【課題】半導体ウエハの両面よりプローブを接触させて各半導体チップの特性を試験する試験装置において、所望の温度に半導体ウエハを加熱して各半導体チップを試験することができる試験装置を提案する。【解決手段】両面にプローブを接触可能に半導体ウエハを保持し、この半導体ウエハの両面をそれぞれヒータ部により加熱し、この両面にそれぞれプローブを接続して当該半導体ウエハに設けられた半導体チップを試験する。【選択図】図9
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの半導体チップを順次試験する試験装置において、
前記半導体ウエハの周辺部を挟持して、前記半導体ウエハを保持するウエハ保持部と、
前記ウエハ保持部により保持された前記半導体ウエハの一方の面側において、前記一方の面に対向する加熱面により非接触で前記半導体ウエハを加熱する第1のヒータ部と、
前記ウエハ保持部により保持された前記半導体ウエハの他方の面側において、前記他方の面に対向する加熱面により非接触で前記半導体ウエハを加熱する第2のヒータ部と、
前記第1のヒータ部側より、前記第1のヒータ部に形成された開口を介して、前記半導体ウエハの半導体チップの前記一方の面側にプローブを接触させる第1のプローブ部と、
前記第2のヒータ部側より、前記第2のヒータ部に形成された開口を介して、前記半導体ウエハの半導体チップの前記他方の面側にプローブを接触させる第2のプローブ部とを備え、
前記ウエハ保持部により保持された前記半導体ウエハに対して前記第1及び第2のヒータ部を配置して加熱した状態で、前記第1及び第2のヒータ部に対する前記半導体ウエハの相対位置を順次変化させ、前記第1及び第2のプローブ部によるプローブが接続される半導体チップを順次切り替え、前記半導体ウエハの半導体チップを順次試験する
ことを特徴とする試験装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 B
, G01R31/28 K
2G132AA00
, 2G132AE02
, 2G132AF01
, 2G132AF20
, 2G132AL21
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106BA01
, 4M106CA01
, 4M106CA31
, 4M106DD10
, 4M106DJ02
