特許

J-GLOBAL ID：201203076191657311

格子不整合赤外化合物半導体受光素子

発明者： 小倉 睦郎 ,  西田 克彦
出願人/特許権者： アイアールスペック株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-003761
公開番号（公開出願番号）：特開2012-146806
出願日： 2011年01月12日
公開日（公表日）： 2012年08月02日
要約：

【課題】安価で量産性に富み、暗電流や表面リーク電流が低く、感光波長域が広く高感度で信頼性の高い赤外線検出素子を提供する。【解決手段】比較的安価で大面積ウェファの入手が容易なGaAsやSi基板上に、PDを構成するエピタキシャル層に格子整合し、かつ機械強度の弱い緩和層を成長し、格子不整合や結晶成長前後の熱歪みを解消する。更に、感光層を夾んで、電子および正孔の相補的なバリア層を形成し、感光層の外からの電子および正孔の流入が選択的に抑制するとともに、光励起された電子正孔を、ポテンシャルバリア無しにそれぞれの電極に導く。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、光検出素子を構成し互いに格子整合条件を満たす基板側バリア層、感光層、窓層からなり;半導体基板と光検出素子を構成する該基板側バリア層、感光層、窓層が格子不整合であり;該半導体基板と光検出素子との間に緩和層があり、該緩和層は、感光層あるいは基板側バリア層よりも弾性限界が低いこと;該緩和層の一部は、該基板側バリア層、感光層および窓層と格子整合すること;を特徴とする光検出素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (8件)：

5F049MA03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049QA03 ,  5F049QA17 ,  5F049SS03 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01