特許
J-GLOBAL ID：201203076574913508
被膜形成装置及び被膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秦 正則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-053450
公開番号（公開出願番号）：特開2012-188701
出願日： 2011年03月10日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】凸凹が大きい立体的形状を含むような基材も含め、大気圧状態でも短時間で均一に被膜を形成することができる被膜形成装置及び被膜形成方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る被膜形成装置1及び被膜形成方法は、希釈ガス供給管2の内部に設けられた導電体の細棒部材が希釈ガス供給管2の内部を優れた共振系とするため、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により希釈ガス供給管2の内部に表面波プラズマを形成し、プラズマ化された希釈ガスが混合器7に導入され、原料ガスと混合されることにより、大気圧状態であっても原料ガスのプラズマ化が効率よく行われる。そして、プラズマ化された原料ガスを基材Sに噴射することにより、基材Sを均一に処理することができ、被膜形成が効率よくかつ安定して行われることになる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材の表面に被膜を形成する装置であって、
筒状の誘電体からなる供給管本体の内部に導電体からなる細棒部材を配置してなる、希釈ガスを供給する希釈ガス供給管と、
前記希釈ガス供給管が配置されるマイクロ波照射室と、
前記マイクロ波照射室の周囲に配置され、前記マイクロ波照射室に対向する面に設けられたスリットアンテナから前記マイクロ波照射室の内部にマイクロ波を導入するリング状共振器を含み、前記マイクロ波照射室の内部にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段と、
開放された前記マイクロ波照射室の底部と繋がって配設される、マイクロ波を遮蔽する導電体の遮蔽壁に囲まれ、被膜形成対象の基材が配置される処理室と、
原料ガスを供給する原料ガス供給管及び前記希釈ガス供給管と空気的に連通されて前記希釈ガスと前記原料ガスが混合される空間となり、前記基材側にガス噴出口が形成された混合器と、を含むことを特徴とする被膜形成装置。
IPC (4件)：
C23C 16/511
, H05H 1/24
, H05H 1/46
, C23C 16/27
C23C16/511
, H05H1/24
, H05H1/46 B
, C23C16/27
4K030AA09
, 4K030AA18
, 4K030BA28
, 4K030CA02
, 4K030CA07
, 4K030CA14
, 4K030EA05
, 4K030FA01
, 4K030JA03
, 4K030KA08
, 4K030KA30
, 4K030KA46
