特許

J-GLOBAL ID：201203076927685555

脆性材料基板のレーザスクライブ方法

発明者： 井村 淳史
出願人/特許権者： 三星ダイヤモンド工業株式会社
代理人 (1件)： 鹿島 義雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-135475
公開番号（公開出願番号）：特開2012-000622
出願日： 2010年06月14日
公開日（公表日）： 2012年01月05日
要約：

【課題】 一対の被膜が形成されその間に形成された狭いストリートにレーザビームを照射してレーザスクライブを行う場合に、十分に加熱のためのエネルギーを与えることができるレーザスクライブ方法を提供する。【解決手段】 ストリートを挟んだ左右両側にレーザ反射性被膜領域が形成された基板に対し、レーザビームを、ストリートの幅より広いビームスポットの幅にして、ストリート内に想定したスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザスクライブ方法であって、光吸収性被膜を、スクライブ予定ライン直上の窓部を除いたストリートの表面と、被膜領域の少なくともレーザビームが照射される被膜面とを覆うように形成する光吸収性被膜形成工程と、スクライブ予定ラインに沿って窓部および光吸収性被膜の上にレーザビームを照射するスクライブ工程とを、この順で行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

帯状領域からなるストリートを挟んだ左右両側にレーザビームを反射する性質の被膜領域が形成された基板に対し、前記レーザビームを、前記ストリートの幅より広いビームスポットの幅にして、前記ストリート内に想定したスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザスクライブ方法であって、 前記レーザビームを吸収する性質を有する光吸収性被膜を、前記スクライブ予定ライン直上の窓部を除いた前記ストリートの表面と、前記被膜領域の少なくともレーザビームが照射される被膜面とを覆うように形成する光吸収性被膜形成工程と、 前記スクライブ予定ラインに沿って、前記窓部および前記光吸収性被膜の上にレーザビームを照射するスクライブ工程とからなるレーザスクライブ方法。

IPC (3件)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/18 ,  C03B 33/09

FI (4件)：

B23K26/00 D ,  B23K26/00 G ,  B23K26/18 ,  C03B33/09

Fターム (9件)：

4E068AD01 ,  4E068CA07 ,  4E068CF01 ,  4E068CF03 ,  4E068DA10 ,  4E068DB13 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01 ,  4G015FC10