特許

J-GLOBAL ID：201203077531031370

多孔質セラミックス基材の製造方法および多段フィルタ

発明者： 江田 智一
出願人/特許権者： 株式会社ノリタケカンパニーリミテド
代理人 (2件)： 池田 治幸 ,  池田 光治郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-212847
公開番号（公開出願番号）：特開2012-066963
出願日： 2010年09月22日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】多孔質セラミックス基材を同一の組成のままその多孔質セラミックス基材の表面ゼータ電位を変化させる多孔質セラミックス基材の製造方法を提供する。【解決手段】多孔質セラミックス基材A、B、Cを焼成するに際して、その焼成の温度設定を変化させることによってその多孔質セラミックス基材A、B、Cの表面ゼータ電位ζを同一の組成のまま変化させる焼成工程(熱処理工程)P4を含むため、焼成工程P4において焼成の温度設定を変化させるだけで多孔質セラミックス基材A、B、Cの組成を同一のままにその多孔質セラミックス基材A、B、Cの表面ゼータ電位ζを変化させられる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

複数の連通気孔を有する多孔質セラミックス基材の製造方法であって、 前記多孔質セラミックス基材を焼成するに際して、該焼成の温度設定を変化させることによって該多孔質セラミックス基材の表面ゼータ電位を同一の組成のまま変化させる熱処理工程を、含むことを特徴とする多孔質セラミックス基材の製造方法。

IPC (6件)：

C04B 35/64 ,  C04B 38/00 ,  B01D 39/20 ,  B01D 71/02 ,  B01D 69/10 ,  B01D 69/12

FI (6件)：

C04B35/64 C ,  C04B38/00 304Z ,  B01D39/20 D ,  B01D71/02 ,  B01D69/10 ,  B01D69/12

Fターム (25件)：

4D006GA02 ,  4D006GA44 ,  4D006HA21 ,  4D006HA77 ,  4D006KA51 ,  4D006MA02 ,  4D006MA09 ,  4D006MA21 ,  4D006MA31 ,  4D006MC03X ,  4D006NA39 ,  4D006NA46 ,  4D006NA62 ,  4D006PA01 ,  4D006PB01 ,  4D006PB24 ,  4D019AA01 ,  4D019AA03 ,  4D019BA05 ,  4D019BB06 ,  4D019BD01 ,  4D019CA03 ,  4D019CB06 ,  4G019GA02 ,  4G019GA04