特許
J-GLOBAL ID：201203077836799902
トンネル磁気抵抗素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人ゆうあい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-152688
公開番号（公開出願番号）：特開2012-015428
出願日： 2010年07月05日
公開日（公表日）： 2012年01月19日
要約：
【課題】検出精度が低下することを抑制するトンネル磁気抵抗素子の製造方法を提供する。【解決手段】平面形状が所定方向に延設された細長形状とされたピン層40およびトンネル層50と、トンネル層50の表面を露出させた状態で、ピン層40およびトンネル層50を囲んで配置された第1保護膜81と、を有する積層体90を基板10上に形成する工程と、平面形状がトンネル層50における延設方向と垂直方向の長さより長い直径を有する円形状であって、トンネル層50が内部を通過すると共に、トンネル層50における延設方向と垂直方向にトンネル層50から突出した部分を有する形状のフリー層60を積層体90上に形成する工程と、フリー層60を覆う第2保護膜82を配置する工程と、を含む工程を行う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
磁化方向が固定されたピン層(40)、絶縁体で構成されるトンネル層(50)、外部磁化に応じて磁化方向が変化するフリー層(60)が順に積層されると共に、前記ピン層(40)、前記トンネル層(50)、前記フリー層(60)が保護膜(80)に覆われてなるトンネル磁気抵抗素子の製造方法であって、
平面形状が所定方向に延設された細長形状とされた前記ピン層(40)および前記トンネル層(50)と、前記トンネル層(50)のうち前記ピン層(40)と反対側の部分を露出させた状態で、前記ピン層(40)および前記トンネル層(50)を囲んで配置された第1保護膜(81)と、を有する積層体(90)を基板(10)上に形成する工程と、
平面形状が前記トンネル層(50)における前記所定方向と垂直方向の長さより長い直径を有する円形状であって、前記積層体(90)の上方から視たとき、前記トンネル層(50)が内部を通過すると共に、前記トンネル層(50)における前記所定方向と垂直方向に前記トンネル層(50)から突出した部分を有する形状のフリー層(60)を前記積層体(90)上に形成する工程と、
前記フリー層(60)を覆う第2保護膜(82)を配置する工程と、を含むことを特徴とするトンネル磁気抵抗素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 43/12
, H01L 43/08
, G01R 33/09
H01L43/12
, H01L43/08 Z
, G01R33/06 R
2G017AA10
, 2G017AD54
, 5F092AA11
, 5F092AA15
, 5F092AB01
, 5F092AC12
, 5F092BB10
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB23
, 5F092BB34
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB43
, 5F092BB53
, 5F092BB55
, 5F092BB81
, 5F092BC04
, 5F092BC07
, 5F092BC42
, 5F092BC43
, 5F092CA02
, 5F092CA08
, 5F092CA13
, 5F092CA20
