特許

J-GLOBAL ID：201203078640431440

半導体装置

発明者： 柳澤 真
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-178395
公開番号（公開出願番号）：特開2012-064934
出願日： 2011年08月17日
公開日（公表日）： 2012年03月29日
要約：

【課題】良好な電気特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に形成される第1の電極と、第1の電極に接して形成される一対の酸化物半導体膜と、一対の酸化物半導体膜に接する第2の電極と、少なくとも第1の電極および一対の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接して、少なくとも一対の酸化物半導体膜の間に形成される第3の電極とを有する半導体装置であり、酸化物半導体膜のドナー密度が1.0×1013/cm3以下である場合、酸化物半導体膜の膜厚は、酸化物半導体膜の膜厚横方向の長さに対して厚くすることである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の電極と、 前記第1の電極に接して形成される一対の酸化物半導体膜と、 前記一対の酸化物半導体膜を介して前記第1の電極と重畳する第2の電極と、 少なくとも前記第1の電極および前記一対の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜に接して、少なくとも前記一対の酸化物半導体膜の間に形成される第3の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 626A ,  H01L29/78 618B

Fターム (79件)：

5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110BB12 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE29 ,  5F110EE44 ,  5F110EE48 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19