結晶化指数取得装置および結晶化指数取得方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：松阪正弘 , 田中勉 , 井田正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-045940
公開番号（公開出願番号）：特開2012-181165
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数を容易かつ精度良く取得する。【解決手段】結晶化指数取得装置1では、微結晶シリコン膜の理論誘電関数を複数の部分誘電関数モデルの合成として表現し、微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数κが、複数の部分誘電関数モデルのうち、結晶シリコン膜の誘電関数における虚部の高エネルギー側のピークに寄与する高エネルギーピークモデルの振幅に基づいて設定される。そして、複数の部分誘電関数モデルに含まれるパラメータ群の各パラメータを結晶化指数κにより表現し、結晶化指数κを変更することにより各パラメータの値を変更し、分光エリプソメータ3により取得された測定誘電関数に対する理論誘電関数のフィッティングが行われる。これにより、微結晶シリコン膜の結晶化指数κを容易かつ精度良く求めることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対象物上に形成された微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数を取得する結晶化指数取得装置であって、分光エリプソメータと、前記分光エリプソメータにて対象物上の微結晶シリコン膜に対して測定を行うことにより取得された測定スペクトルから測定誘電関数を求め、前記微結晶シリコン膜の理論誘電関数に含まれるパラメータ群の値を変更して前記理論誘電関数の前記測定誘電関数に対するフィッティングを行うことにより、結晶化指数を求める演算部と、を備え、前記理論誘電関数が、結晶シリコン膜の誘電関数における虚部の2つのピークのうち高エネルギー側のピークに寄与する高エネルギーピークモデルを含む複数の部分誘電関数モデルを合成することにより表現され、前記パラメータ群に前記高エネルギーピークモデルの振幅が含まれ、前記振幅が前記結晶化指数にて表現され、他の部分誘電関数モデルの少なくとも1つのパラメータも前記結晶化指数にて表現され、前記フィッティングの際に、前記結晶化指数が変更されることにより、前記結晶化指数にて表現されるパラメータが変更されることを特徴とする結晶化指数取得装置。

IPC (5件)：

G01N 21/21 , H01L 21/02 , H01L 21/205 , C30B 29/06 , H01L 21/66

FI (5件)：

G01N21/21 A , H01L21/02 Z , H01L21/205 , C30B29/06 , H01L21/66 N

Fターム (25件)：

2G059AA03 , 2G059BB10 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059EE12 , 2G059GG04 , 2G059MM01 , 4G077AA03 , 4G077BA04 , 4G077GA01 , 4G077GA03 , 4G077GA06 , 4G077GA10 , 4G077HA01 , 4G077HA12 , 4M106AA10 , 4M106CA48 , 4M106CB30 , 4M106DH01 , 5F045AB03 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AF07 , 5F045CA13 , 5F045DA61

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