特許

J-GLOBAL ID：201203079605187052

光変調器

発明者： 河野 健治 ,  名波 雅也 ,  佐藤 勇治 ,  川面 英司 ,  松本 聡 ,  五十嵐 信弘 ,  内田 靖二 ,  中平 徹
出願人/特許権者： アンリツ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-276959
公開番号（公開出願番号）：特開2012-128007
出願日： 2010年12月13日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】光変調特性が高性能であるとともに、温度ドリフトについて改善された光変調器を提供する。【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器であって、温度ドリフトを抑圧するよう、バイアス電極が3.8μm以下の所定厚さで構成される。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用の中心導体及び接地導体からなる進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するための中心導体及び接地導体からなるバイアス電極とを有し、 前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号を印加することにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とが具備され、 前記高周波電気信号用相互作用部と前記バイアス用相互作用部の両方に前記基板の少なくとも一部を掘り下げることにより形成した凹部により構成されるリッジ部を具備し、 温度ドリフトを抑圧するよう、前記バイアス電極が3.8μm以下の所定厚さでなることを特徴とする光変調器。

IPC (1件)：

G02F 1/035

FI (1件)：

G02F1/035

Fターム (9件)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA04 ,  2H079DA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EB04 ,  2H079HA23