特許

J-GLOBAL ID：201203079615365668

半導体発光素子

発明者： キム、キュ サン
出願人/特許権者： サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド.
代理人 (1件)： 龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-140322
公開番号（公開出願番号）：特開2012-099788
出願日： 2011年06月24日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：

【課題】本発明は、半導体発光素子に関する。【解決手段】本発明は、第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、当該発光構造物の光放出面の少なくとも一部領域に形成され蛍光体粒子を含む透光性材料からなり内部にボイドを有する波長変換層とを含む半導体発光素子、及び、一面に形成された溝を含む基板と、当該基板のうち当該溝が形成されていない他面に形成され第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、上記基板の溝に形成され蛍光体粒子又は量子点を含む透光性材料からなる波長変換層とを含む半導体発光素子を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の導電型半導体層と活性層と第2の導電型半導体層とを含む発光構造物と、 前記発光構造物の光放出面の少なくとも一部領域に形成され、蛍光体粒子又は量子点を含む透光性材料からなり、内部にボイドを有する波長変換層と を含む、半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/50 ,  H01L 33/44

FI (2件)：

H01L33/00 410 ,  H01L33/00 300

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA40