半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-174663
公開番号（公開出願番号）：特開2012-038770
出願日： 2010年08月03日
公開日（公表日）： 2012年02月23日
要約：

【課題】特性の安定した高品質の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、主表面を有する基板1と、基板1の主表面上に形成され、主表面に対して傾斜した側面を含む炭化珪素層(図2の耐圧保持層2、半導体層3、n型ソースコンタクト層4、およびp型のコンタクト領域5)とを備える。側面は実質的に{03-3-8}面を含む。当該側面はチャネル領域を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

主表面を有する基板と、前記基板の前記主表面上に形成され、前記主表面に対して傾斜した端面を含む炭化珪素層とを備え、前記端面は実質的に{03-3-8}面を含み、前記端面はチャネル領域を含む、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/06 , H01L 29/861

FI (14件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652S , H01L29/78 653A , H01L29/78 652L , H01L29/78 652G , H01L29/78 658B , H01L29/78 658G , H01L29/78 652K , H01L29/78 652P , H01L29/06 301M , H01L29/06 301G , H01L29/91 D , H01L29/91 F , H01L29/78 652J

引用特許：

審査官引用 (8件)

炭化珪素半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-009625 出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-360918 出願人：富士電機ホールディングス株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-302562 出願人：株式会社東芝

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Sloped Sidewalls in 4H-SiC Mesa Structure Formed by a Cl2-O2 Thermal Etching

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