平行平板型プラズマCVD装置を用いた反射防止膜の成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-271849
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124229
出願日： 2010年12月06日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】太陽電池基板のダングリングボンドの終端処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。【解決手段】平行平板型プラズマCVD装置1を用いて、処理用ガス供給装置3から第1処理用ガスを供給するとともに高周波電力源2から高周波電極6に第1周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と基板電極5との間に水素イオンを含むプラズマを発生させ、この水素イオンによって太陽電池基板8のダングリングボンドを終端させる終端工程と、次いで、前記処理用ガス供給装置から第2処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に前記第1周波数よりも高い第2周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に前記太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させる成膜工程と、を連続して行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理用ガスを供給する処理用ガス供給装置と、高周波電力を出力する高周波電力源と、真空容器内で太陽電池基板を戴置する基板電極と、前記真空容器内で前記基板電極に対向して配置されている高周波電極とを備えた平行平板型プラズマCVD装置を用いて太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する方法において、前記処理用ガス供給装置から第1処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に第1周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に水素イオンを含むプラズマを発生させ、この水素イオンによって前記太陽電池基板のダングリングボンドを終端させる終端工程と、前記処理用ガス供給装置から第2処理用ガスを供給するとともに前記高周波電力源から前記高周波電極に前記第1周波数よりも高い第2周波数の高周波電力を印加し、前記高周波電極と前記基板電極との間に太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させ、このプラズマによって前記太陽電池基板表面に前記反射防止膜を成膜する成膜工程とを連続して行うことを特徴とする平行平板型プラズマCVD装置を用いた太陽電池基板の反射防止膜の成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 31/04 , H01L 21/318 , H01L 21/31 , C23C 16/509 , C23C 16/02 , H01L 21/205

FI (6件)：

H01L31/04 F , H01L21/318 B , H01L21/31 C , C23C16/509 , C23C16/02 , H01L21/205

Fターム (44件)：

4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA48 , 4K030CA01 , 4K030DA02 , 4K030FA03 , 4K030LA01 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AC18 , 5F045AD08 , 5F045AE01 , 5F045AF03 , 5F045BB08 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F045DP13 , 5F045DQ10 , 5F045EB11 , 5F045EE13 , 5F045EE18 , 5F045EF05 , 5F045EH14 , 5F045EK07 , 5F058BA20 , 5F058BC08 , 5F058BD10 , 5F058BE10 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF30 , 5F058BG01 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F151CB12 , 5F151CB27 , 5F151FA04 , 5F151HA03 , 5F151HA19

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