特許

J-GLOBAL ID：201203080364398659

半導体式ガス検知素子

発明者： 皆越 知世 ,  前川 亨 ,  野村 勝裕 ,  蔭山 博之
出願人/特許権者： 新コスモス電機株式会社
代理人 (3件)： 北村 修一郎 ,  山▲崎▼ 徹也 ,  太田 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-260066
公開番号（公開出願番号）：特開2012-112701
出願日： 2010年11月22日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

【課題】ガス感応部の電気抵抗を小さくして、被検知ガスに対して高感度となる半導体式ガス検知素子を提供する。【解決手段】貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを0.8mol%以下の範囲、セリウムを0.8mol%以下の範囲で、固溶させてある。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

貴金属線にガス感応部を設けた半導体式ガス検知素子であって、 前記ガス感応部は、酸化スズに、アンチモンを0.8mol%以下の範囲、セリウムを0.8mol%以下の範囲で、固溶させてある半導体式ガス検知素子。

IPC (1件)：

G01N 27/12

FI (2件)：

G01N27/12 C ,  G01N27/12 B

Fターム (20件)：

2G046AA05 ,  2G046AA24 ,  2G046BA02 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BC03 ,  2G046BC05 ,  2G046BE02 ,  2G046BE08 ,  2G046BF01 ,  2G046DC13 ,  2G046FB02 ,  2G046FE16 ,  2G046FE18 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE34 ,  2G046FE35 ,  2G046FE36 ,  2G046FE39