電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (7件)：特許業務法人浅村特許事務所 , 浅村皓 , 浅村肇 , 上村陽一郎 , 安藤克則 , 亀岡幹生 , 浅野裕一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-186428
公開番号（公開出願番号）：特開2012-044109
出願日： 2010年08月23日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：

【課題】半導体材料として特定の有機複素環化合物を用いて、実用的な印刷適性を有し、さらにキャリア移動度、ヒステリシスや閾値安定性などの優れた半導体特性を有し、産業上実用的な特定のトップゲート構造の電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】半導体材料として下記式(1)で表される化合物を含有し、特定のトップゲート-ボトムコンタクト構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。(式(1)中、R1及びR2はそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換C1-C36脂肪族炭化水素基を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体材料として下記式(1)で表される化合物を含有し、トップゲート構造を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 51/30 , H01L 51/05 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/368 , C07D 495/04

FI (7件)：

H01L29/28 250H , H01L29/28 100A , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L29/78 617V , H01L21/368 L , C07D495/04 103

Fターム (77件)：

4C071AA01 , 4C071AA07 , 4C071BB01 , 4C071BB05 , 4C071CC22 , 4C071DD04 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071GG01 , 4C071GG02 , 4C071LL10 , 5F053AA06 , 5F053DD19 , 5F053LL10 , 5F110AA01 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110BB20 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110HK11 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-223575 出願人：出光興産株式会社
有機トランジスタ、およびこれが用いられた有機半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-155626 出願人：日本化薬株式会社, 大日本印刷株式会社
有機トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-115741 出願人：三井化学株式会社

前のページに戻る