特許

J-GLOBAL ID：201203080561318489

薄膜形成装置

発明者： 羽生 秀則 ,  菅原 紀一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-133763
公開番号（公開出願番号）：特開2011-258859
出願日： 2010年06月11日
公開日（公表日）： 2011年12月22日
要約：

【課題】薄膜形成の再現性を向上させる。【解決手段】薄膜形成装置は、第1のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、前記搬送室に連結され、前記第1のサセプタの表出面を覆う第2のサセプタを前記第1のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1のサセプタに支持された被処理基板を搬送する搬送アームが設置された搬送室と、 前記搬送室に連結され、前記搬送アームによって搬送された前記被処理基板に処理を施すことが可能な複数の処理室と、 前記搬送室に連結され、前記第1のサセプタの表出面を覆う第2のサセプタを前記第1のサセプタに着脱することが可能なサセプタ交換室と、 を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4件)：

H01L 21/683 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L21/68 N ,  C23C16/44 J ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 101G

Fターム (44件)：

4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030CA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030LA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA09 ,  5F031GA02 ,  5F031GA43 ,  5F031HA37 ,  5F031HA42 ,  5F031MA28 ,  5F031PA23 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB04 ,  5F045BB10 ,  5F045BB14 ,  5F045CA09 ,  5F045DA54 ,  5F045DP15 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB02 ,  5F045EB08 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F045EM02 ,  5F045EM06 ,  5F045EN05