特許
J-GLOBAL ID：201203080574317643
p型拡散層形成組成物、p型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
膝舘 祥治
, 小林 美貴
, 醍醐 美知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-157228
公開番号（公開出願番号）：特開2012-160695
出願日： 2011年07月15日
公開日（公表日）： 2012年08月23日
要約：
【課題】熱拡散時におけるシリコン基板の反りの発生を抑制しながら、p型拡散層形成組成物と基板との反応を抑制し、低抵抗なp型拡散層を形成することが可能なp型拡散層形成組成物、これを用いたp型拡散層の製造方法及び太陽電池素子の製造方法、並びに太陽電池の提供する。【解決手段】p型拡散層形成組成物を窒化ホウ素及び炭化ホウ素から選ばれる少なくとも1種のホウ素化合物と、分散媒と、を含有して構成する。このp型拡散層形成組成物をシリコン基板上に塗布し熱拡散処理を施すことで、p型拡散層、及びp型拡散層を有する太陽電池素子が製造される。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
窒化ホウ素と、分散媒と、無機バインダとを含有するp型拡散層形成組成物。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/225 R
, H01L31/04 A
, H01L21/225 Q
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151CB20
, 5F151DA03
, 5F151FA10
, 5F151GA04
, 5F151GA15
, 5F151HA03
