特許

J-GLOBAL ID：201203081992655349

成膜装置

発明者： 長井 健一郎 ,  伊藤 孝浩 ,  中嶋 健次
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-210598
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069559
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】水素又は塩化水素を含むパージガス用いるとともに、SiCヒータを備える成膜装置において、SiCヒータの劣化を抑制することができる技術を提供することを目的とする。【解決手段】ウエハ70の表面にシリコン膜を成長させる成膜装置10であって、ウエハ70を設置可能なウエハステージ14、16と、ウエハステージ内に配置されており、ウエハ70を加熱するSiCヒータ42と、ウエハ70の被成膜面に、シリコン膜の原料ガスを供給する原料ガス供給手段60、62、64と、ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一部に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路32、30、36と、ウエハステージ内に形成されており、SiCヒータ42に、SiCヒータ42に対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路44、48を有している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ウエハの表面にシリコン又は炭化シリコンのエピタキシャル膜を成長させる成膜装置であって、 ウエハを設置可能なウエハステージと、 ウエハステージ内に配置されており、ウエハを加熱するSiCヒータと、 ウエハの被成膜面に、エピタキシャル膜の原料を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、 ウエハステージ内に形成されており、ウエハの裏面と外周面の少なくとも一方に、水素または塩化水素を含むパージガスを供給するパージガス流路と、 ウエハステージ内に形成されており、SiCヒータに、SiCヒータに対して不活性なガスを供給する不活性ガス流路、 を有していることを特徴とする成膜装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/683 ,  C23C 16/458

FI (3件)：

H01L21/205 ,  H01L21/68 N ,  C23C16/458

Fターム (29件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030KA02 ,  4K030LA15 ,  5F031CA02 ,  5F031HA01 ,  5F031HA12 ,  5F031HA37 ,  5F031HA39 ,  5F031NA04 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045BB08 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EK07 ,  5F045EK08 ,  5F045EM07 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10