特許
J-GLOBAL ID:201203082121975022
成形回路部品の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
下坂 スミ子
, 打越 佑介
, 池山 和生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-022555
公開番号(公開出願番号):特開2012-136769
出願日: 2011年02月04日
公開日(公表日): 2012年07月19日
要約:
【課題】 回路となる部分にのみ密着性の強い無電解めっき層を選択的に形成し、他の非回路となる部分を粗化しない。【解決手段】 波長が193〜400nmのレーザービーム2を、合成樹脂の基体1の回路となる部分11に選択的に照射し、パラジウムイオン触媒を吸着させた後に還元剤によって金属パラジウムに還元する。次いで回路となる部分11に無電解めっき層3を成形する。回路となる部分11は表面改質されているためイオン触媒が強固に定着し、無電解めっき層3が強く密着する。レーザービーム2を照射されない非回路となる部分12にはイオン触媒が吸着しないため、無電解めっき層3が成形されない。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
合成樹脂の基体を成形する第1の工程と、
波長が193〜400nmのレーザービームを照射して、上記基体の回路となる部分を選択的に表面改質する第2の工程と、
上記基体を一種類の金属イオンからなるイオン触媒に接触させる第3の工程と、
上記イオン触媒を還元剤によって金属に還元する第4の工程と、
上記基体の回路となる部分に無電解めっき層を成形する第5の工程とを備える
ことを特徴とする成形回路部品の製造方法。
IPC (7件):
C23C 18/06
, C23C 18/16
, C23C 18/20
, C23C 18/50
, H05K 3/18
, H05K 3/38
, H05K 3/00
FI (10件):
C23C18/06
, C23C18/16 A
, C23C18/20 A
, C23C18/50
, H05K3/18 K
, H05K3/18 B
, H05K3/18 E
, H05K3/38 A
, H05K3/00 W
, H05K3/00 N
Fターム (31件):
4K022AA13
, 4K022AA15
, 4K022AA19
, 4K022AA20
, 4K022BA03
, 4K022BA08
, 4K022BA14
, 4K022BA32
, 4K022CA02
, 4K022CA06
, 4K022CA12
, 4K022CA13
, 4K022CA16
, 4K022CA19
, 4K022CA21
, 4K022CA22
, 4K022CA29
, 4K022DA01
, 4K022DB02
, 4K022DB29
, 5E343AA36
, 5E343AA37
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB44
, 5E343BB71
, 5E343CC71
, 5E343DD33
, 5E343EE33
, 5E343ER04
, 5E343GG02
引用特許:
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