特許

J-GLOBAL ID：201203082444218174

セラミック焼結体の製造方法およびグロープラグの製造方法

発明者： 榊原 邦啓 ,  西原 寛
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-252218
公開番号（公開出願番号）：特開2012-101979
出願日： 2010年11月10日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：

【課題】誘導加熱方式のホットプレス用焼成炉を用いたセラミック焼結体の製造において、セラミック焼結体の品質のバラツキを抑制すること。【解決手段】誘導加熱方式の焼成炉1内に設けられた焼成室5内にセラミック粉末からなる被焼成物を配置し、一対の加圧部3により被焼成物の加圧を行いつつ加熱して焼成物を得るセラミック焼結体の製造方法に関する。該加熱は、一対の加圧部3から選ばれる少なくとも一方の加圧部3における加圧軸方向の両端部および中間部から選ばれるいずれかの部分に、加圧軸方向における常温での熱伝導率が焼成室5を構成する部材の熱伝導率の10%以下となる低熱伝導材8を配置して行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘導加熱方式のホットプレス用焼成炉内に設けられた焼成室内にセラミック粉末からなる被焼成物を配置し、一対の加圧部により前記被焼成物の加圧を行いつつ加熱して焼成物を得るセラミック焼結体の製造方法において、 前記加熱は、前記一対の加圧部から選ばれる少なくとも一方の加圧部における加圧軸方向の両端部および中間部から選ばれるいずれかの部分に、前記加圧軸方向における常温での熱伝導率が前記焼成室を構成する部材の熱伝導率の10%以下となる低熱伝導材を配置して行うことを特徴とするセラミック焼結体の製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/645 ,  H05B 3/48 ,  C04B 35/64 ,  C04B 35/622

FI (4件)：

C04B35/64 N ,  H05B3/48 ,  C04B35/64 D ,  C04B35/00 E

Fターム (22件)：

3K092PP16 ,  3K092QB03 ,  3K092QB26 ,  3K092RB02 ,  3K092VV40 ,  4G030AA11 ,  4G030AA37 ,  4G030AA45 ,  4G030AA52 ,  4G030AA67 ,  4G030BA01 ,  4G030CA01 ,  4G030GA05 ,  4G030GA11 ,  4G030GA14 ,  4G030GA19 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA28 ,  4G030GA29 ,  4G030GA31

引用特許：

審査官引用 (5件)

• C/C複合材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-059738   出願人：東海カーボン株式会社
• 特開昭61-107013
  
• セラミックの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-100572   出願人：日本特殊陶業株式会社
• 特開昭52-130406
  
• 特開昭63-153387