半導体装置およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-241761
公開番号（公開出願番号）：特開2012-114426
出願日： 2011年11月03日
公開日（公表日）： 2012年06月14日
要約：

【課題】新規な構造の半導体装置あるいはその作製方法を提供することを課題とする。例えば、高電圧若しくは大電流で駆動されるトランジスタの信頼性向上を図ることを課題とする。【解決手段】トランジスタの信頼性向上を図るため、電界集中を緩和するバッファ層をドレイン電極層(またはソース電極層)と、酸化物半導体層との間に設け、バッファ層の端部をドレイン電極層(またはソース電極層)の側面から突出させた断面形状とする。バッファ層は、単層又は複数の層からなる積層で構成し、例えば窒素を含むIn-Ga-Zn-O膜、窒素を含むIn-Sn-O膜、SiOxを含むIn-Sn-O膜などを用いる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層と接するバッファ層と、前記バッファ層を介して前記酸化物半導体層と重なるソース電極層またはドレイン電極層と、前記酸化物半導体層と接するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、を有し、前記ゲート電極層は積層構造であり、前記ゲート絶縁層と上面が接する前記ゲート電極層の一層は、窒素を含む金属酸化物であり、前記バッファ層は、窒素を含む金属酸化物であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (10件)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L29/78 616T , H01L29/78 617M , H01L29/78 617L , H01L21/28 301B , H01L21/28 301Z , H01L29/50 M , H01L29/58 G , H01L29/78 616U

Fターム (62件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD40 , 4M104DD42 , 4M104DD55 , 4M104DD63 , 4M104DD72 , 4M104EE03 , 4M104FF09 , 4M104FF13 , 4M104FF18 , 4M104GG08 , 4M104GG13 , 4M104HH20 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE15 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG17 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HM02 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP10 , 5F110QQ09

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