特許
J-GLOBAL ID：201203083138323483

電子機器用カバーガラスのガラス基板及びその製造方法

発明者：
▲高▼野 徹朗

▲高▼野 徹朗 について

, 
橋本 和明

橋本 和明 について


出願人/特許権者：
HOYA株式会社

HOYA株式会社 について


代理人 (5件)： 阿仁屋 節雄 ,  油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩 ,  奥山 知洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-101340
公開番号（公開出願番号）：特開2012-246213
出願日： 2012年04月26日
公開日（公表日）： 2012年12月13日
要約：
【課題】ガラス基板の表面の活性化に伴う電子機器用カバーガラスのガラス基板の強度低下の抑制方法を提供する。【解決手段】金属酸化物を含有するガラス基板の表面近傍において、前記金属酸化物の金属イオンαを、前記金属イオンαよりもイオン半径が大きい金属イオンβで置換する置換工程と、前記置換工程により前記ガラス基板の表面近傍に形成された化学強化層に対し、前記置換工程後、表面失活用イオンγの注入処理を施す注入工程と、を有し、前記化学強化層内では、前記ガラス基板における主表面からの厚さ方向の距離とイオン濃度との関係において、前記表面失活用イオンγのイオン濃度を、前記金属イオンβのイオン濃度以下とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
金属酸化物を含有するガラス基板の表面近傍において、前記金属酸化物の金属イオンαを、前記金属イオンαよりもイオン半径が大きい金属イオンβで置換する置換工程と、 前記置換工程により前記ガラス基板の表面近傍に形成された化学強化層に対し、表面失活用イオンγの注入処理を施す注入工程と、 を有し、 前記化学強化層内では、前記ガラス基板における主表面からの厚さ方向の距離とイオン濃度との関係において、前記表面失活用イオンγのイオン濃度を、前記金属イオンβのイオン濃度以下とすることを特徴とする電子機器用カバーガラスのガラス基板の製造方法。
IPC (2件)：
C03C 21/00 ,  G02B 1/00
FI (2件)：
C03C21/00 101 ,  G02B1/00
Fターム (11件)：
4G059AA08 ,  4G059AB01 ,  4G059AB05 ,  4G059AB06 ,  4G059AB09 ,  4G059AB11 ,  4G059AC16 ,  4G059HB03 ,  4G059HB08 ,  4G059HB12 ,  4G059HB14
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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