特許

J-GLOBAL ID：201203083746056218

可逆的電荷蓄積性有機レドックス活性化合物及びそれらにより構成される基板及び分子記憶デバイス

発明者： バークリー ジュリアン ,  デマドリル レナウド ,  ホアン カイ ,  カーベラ ヤン
出願人/特許権者： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
代理人 (2件)： 内藤 照雄 ,  牧野 純
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-540087
公開番号（公開出願番号）：特表2012-511542
出願日： 2009年12月09日
公開日（公表日）： 2012年05月24日
要約：

式(I): R-M-Y-T (I)[式中: -Rは脱共役基を表す; -Mは、いずれの金属イオンまたは金属をも含有せず、少なくとも1個の電荷を可逆的に蓄積し得る有機レドックス活性フラグメントを表す; -Tは、同じ原子に結合し、化学的にグラフトし得る3個の基Fから構成され、固体基板表面に、化学的に、好ましくは共有結合によりグラフトし得るトリポッド基を表す; -Yは、TからMを隔てるスペーサー基を表す]で示される可逆的電荷蓄積性有機レドックス活性化合物。 当該化合物をグラフトした基板。 かかる化合物またはかかる基板から構成される分子記憶デバイス。 かかる分子記憶デバイスから構成される電子装置。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

式(I): R-M-Y-T (I) [式中: -Rは脱共役基を表す; -Mは、いずれの金属イオンまたは金属をも含有せず、少なくとも1個の電荷を可逆的に蓄積し得る有機レドックス活性フラグメントを表す; -Tは、同じ原子に結合し、好ましくは共有結合により、固体基板表面に、化学的にグラフトし得る3個の基Fから構成されるトリポッド基を表す; -Yは、トリポッド基Tから有機レドックス活性フラグメントMを隔てるスペーサー基を表す] で示される可逆的電荷蓄積性有機レドックス活性化合物。

IPC (4件)：

C07D 471/06 ,  H01L 51/05 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/30

FI (4件)：

C07D471/06 ,  H01L27/10 449 ,  H01L29/28 100B ,  H01L29/28 250H

Fターム (13件)：

4C065AA07 ,  4C065AA19 ,  4C065BB09 ,  4C065CC09 ,  4C065DD02 ,  4C065EE02 ,  4C065HH09 ,  4C065JJ04 ,  4C065KK01 ,  4C065LL04 ,  4C065PP03 ,  5F083FZ07 ,  5F083JA60