特許
J-GLOBAL ID：201203083857700329
電極端子及び半導体モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
橋本 剛
, 鵜澤 英久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-228119
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084621
出願日： 2010年10月08日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：
【課題】半導体モジュールの動作信頼性を向上する。【解決手段】半導体素子7の電極層8、9と、この半導体素子7を制御する制御回路(駆動回路)とを電気的に接続する電極端子1、2、この電極端子1、2と半導体素子7とを備えた半導体モジュールである。電極端子1、2は、接続部3、3と電極接続部4、4とを中間部6を介して一体に形成する。接続部3、3は、制御回路(駆動回路)と接続する。また、電極接続部4、4を、ばね状に形成し、半導体素子7の電極層8、9に接続する。そして、このばね状の電極接続部4、4が半導体素子7を押圧した状態で、電極端子1、2を半導体モジュール内に備える。また、ゲート電極層8に接続される電極端子1の中間部6を、10〜5000μΩcmの固有抵抗を有する材料により形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子のゲート電極に接続される電極接続部と、前記半導体素子を制御する制御回路と接続される接続部とを備える電極端子であって、
前記電極接続部及び前記接続部との間には、固有抵抗が10〜5000μΩcmの材料からなる抵抗部が一体に備えられる
ことを特徴とする電極端子。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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