特許
J-GLOBAL ID:201203084862635477

ESD保護デバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 楓国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-148449
公開番号(公開出願番号):特開2012-014889
出願日: 2010年06月30日
公開日(公表日): 2012年01月19日
要約:
【課題】半導体基板を用いた小型のデバイスでありながら、ESDスパイクのような瞬間的な過電流を十分に抑制できるESD保護デバイスを構成する。【解決手段】ESD保護デバイス101は、入出力電極21A,21Bを有する半導体基板20とその表面に形成された再配線層30とを有する。半導体基板20の表層にESD保護回路が形成されていて、入出力電極21A,21BはそのESD保護回路に接続されている。再配線層30は、層間配線24A,24B、面内配線25A,25Bおよびポスト電極27A,27Bを含んでいる。層間配線24A,24Bの一端は、半導体基板20の表面に設けられた入出力電極21A,21Bに接続されていて、他端は、平面方向に引き回された面内配線25A,25Bの一端に接続されている。そして、面内配線25A,25Bの一部に一対の放電電極25At,25Btが設けられている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ダイオードを含むESD保護回路と前記ESD保護回路に導通する第1及び第2の入出力電極とが形成された半導体基板と、 前記入出力電極と端子電極との間を導通させる再配線を備えた再配線層と、を有し、 前記再配線層に設けられ、前記ESD保護回路に対して並列に挿入された、互いに対向する一対の放電電極を備えた、ESD保護デバイス。
IPC (3件):
H01T 4/08 ,  H01T 4/10 ,  H01T 4/12
FI (3件):
H01T4/08 A ,  H01T4/10 G ,  H01T4/12 F

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