特許
J-GLOBAL ID：201203085166593456
非揮発性メモリ装置のプログラム方法及び非揮発性メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
荒船 博司
, 荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-191004
公開番号（公開出願番号）：特開2012-123890
出願日： 2011年09月01日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：
【課題】1つの入/出力回路に連結された複数のメモリセルを同時にプログラムし、プログラム時間を最小化する非揮発性メモリを提供する。【解決手段】非揮発性メモリ装置のプログラム方法において、プログラムするメモリセル等の中で同一のビットラインに連結されるメモリセル等に相応するビットライン書込みセル等に対し、プログラムアドレスに基づき、同時にプログラムを行うことができるよう同時書込み電流が生成される。前記ビットライン書込みセル等は同時に活性化され前記同時書込み電流の提供を受ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
プログラムアドレスに基づき、プログラムするメモリセル等の中で同一のビットラインに連結されるメモリセル等に相応するビットライン書込みセル等に対し、同時にプログラムを行うことができるよう同時書込み電流を生成する段階と、
前記ビットライン書込みセル等を同時に活性化させ前記同時書込み電流を提供する段階と
を含むことを特徴とする非揮発性メモリ装置のプログラム方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11C13/00 150
, G11C13/00 110P
, G11C11/15 140
