特許
J-GLOBAL ID：201203085455771672
熱硬化性組成物の製造方法並びに熱硬化性組成物を用いた熱硬化性複合シート及び金属張積層板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
津国 肇
, 齋藤 房幸
, 柴 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-220628
公開番号（公開出願番号）：特開2012-077107
出願日： 2010年09月30日
公開日（公表日）： 2012年04月19日
要約：
【課題】10GHz以上の高周波帯域で低誘電率・低誘電正接性、低吸湿性、低誘電ドリフト性及び金属箔の剥離強さが良好なプリント配線板を製造できる熱硬化性組成物の製造方法、この組成物を用いた熱硬化性複合シート及び金属張積層板を提供する。【解決手段】本発明は、溶剤中で、ポリフェニレンエーテル(a)を50質量%以上含み架橋構造及び架橋反応性を有しない高分子化合物(A)の存在下で、1,2-ブタジエン単位を40質量%以上含有するポリブタジエン(B)と架橋剤(C)とをラジカル架橋反応させて高分子複合体を得る工程と、無機粒子の表面を、スチリルトリアルコキシシランで表面処理後、さらに続けてアルコキシシラン系(ビニル基含有物は除く)及び/又はシリコーン系化合物で表面処理するか又はその逆順で表面処理して無機粒子(D)を得る工程と、高分子複合体と無機粒子(D)とを混合する工程とを有する、熱硬化性組成物の製造方法に関する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ポリフェニレンエーテルである化合物(a)と架橋構造を有するポリブタジエンである化合物(b)とを含む高分子複合体と無機粒子(D)とを含有する熱硬化性組成物の製造方法であって、
前記製造方法が、
溶剤中で、架橋構造を有さずラジカル架橋反応性を有しない高分子化合物(A)の存在下で、
1,2-ブタジエン単位を分子中に40〜100質量%含有するポリブタジエンである化合物(B)と、ラジカル架橋反応性を有する化合物(C)(但し、前記化合物(B)は除く)とをラジカル架橋反応させて前記高分子複合体を得る工程(1)と、
無機粒子の表面を、
第1表面処理化合物で表面処理された後、さらに続けて第2表面処理化合物で表面処理するか、
第2表面処理化合物で表面処理された後、さらに続けて第1表面処理化合物で表面処理して前記無機粒子(D)を得る工程(2)と、
前記高分子複合体と無機粒子(D)とを混合する工程(3)とを有し、
前記化合物(A)中、前記化合物(a)の含有量が50〜100質量%であり、
前記第1表面処理化合物が、スチリルトリアルコキシシランであり、
前記第2表面処理化合物が、アルコキシシラン系化合物(但し、ビニル基を有する化合物は除く)及び/又はシリコーン系化合物であることを特徴とする熱硬化性組成物の製造方法。
IPC (4件)：
C08L 71/12
, C08L 47/00
, C08K 9/06
, H05K 1/03
C08L71/12
, C08L47/00
, C08K9/06
, H05K1/03 610H
, H05K1/03 610R
4J002AC03X
, 4J002BH023
, 4J002CF213
, 4J002CH07W
, 4J002EU027
, 4J002FB096
, 4J002FD016
, 4J002FD143
, 4J002FD147
, 4J002GQ00
