特許

J-GLOBAL ID：201203085651245717

SiC半導体自立基板及びSiC半導体電子デバイス

発明者： 後藤 肇
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (3件)： 油井 透 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-272923
公開番号（公開出願番号）：特開2012-121749
出願日： 2010年12月07日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】SiC半導体自立基板上に形成される電子デバイスの耐電圧、オン抵抗、素子寿命等のばらつきを抑えて歩留まりを向上させることが可能なSiC半導体自立基板及びSiC半導体電子デバイスを提供する。【解決手段】SiC半導体自立基板を構成するSiC半導体結晶3は六方晶系であり、SiC半導体結晶3の格子定数のばらつきを、SiC半導体自立基板の主面内のa軸方向の格子定数の標準偏差をa軸方向の格子定数の平均値で除した値とするとき、格子定数のばらつきが±55ppm以下である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

SiC半導体結晶からなるSiC半導体自立基板であって、 前記SiC半導体結晶は六方晶系であり、 前記SiC半導体結晶の格子定数のばらつきを、前記SiC半導体自立基板の主面内のa軸方向の格子定数の標準偏差を前記a軸方向の格子定数の平均値で除した値とするとき、前記格子定数のばらつきが±55ppm以下である ことを特徴とするSiC半導体自立基板。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  H01L21/205

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077AB07 ,  4G077AB10 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF12 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045CA06 ,  5F045CA19