特許

J-GLOBAL ID：201203087139152505

排ガス処理装置および排ガス処理方法

発明者： 佐村 健 ,  大内 太
出願人/特許権者： JX日鉱日石エネルギー株式会社
代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-059500
公開番号（公開出願番号）：特開2012-106146
出願日： 2009年03月12日
公開日（公表日）： 2012年06月07日
要約：

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマCVD装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。【解決手段】半導体製造装置20から排出された混合ガスをポンプ12を用いてフィルタ部30に送出し、フィルタ部30で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部40を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部50により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部60により大気に放出される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体製造装置から排出される混合ガスを処理する排ガス処理装置であって、 前記混合ガスを通過させ、前記混合ガスに含まれている複数種のガスのうち除害の必要な第1のガスと、除害の必要のない第2のガスとを深冷分離により分離する分離部と、 前記分離部によって分離された第1のガスを処理する第1のガス処理部と、 前記分離部によって分離された第2のガスを処理する第2のガス処理部と、 を備えることを特徴とする排ガス処理装置。

IPC (5件)：

B01D 53/46 ,  F25J 3/08 ,  C01B 3/56 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

B01D53/34 120A ,  F25J3/08 ,  C01B3/56 A ,  C23C16/44 J ,  H01L21/205

Fターム (35件)：

4D002AA26 ,  4D002AC10 ,  4D002BA04 ,  4D002BA05 ,  4D002BA13 ,  4D002BA14 ,  4D002CA13 ,  4D002EA02 ,  4D002HA02 ,  4D047AA07 ,  4D047AB07 ,  4D047CA07 ,  4D047CA09 ,  4D047DA14 ,  4G072AA06 ,  4G072GG03 ,  4G072MM08 ,  4G072MM13 ,  4G140FA02 ,  4G140FC02 ,  4G140FD07 ,  4G140FE01 ,  4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA13 ,  4K030EA14 ,  4K030FA01 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045CA13 ,  5F045EG07