特許

J-GLOBAL ID：201203087661195125

抵抗変化素子

発明者： 和田 純一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (18件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-211270
公開番号（公開出願番号）：特開2012-069602
出願日： 2010年09月21日
公開日（公表日）： 2012年04月05日
要約：

【課題】 特性の向上した抵抗変化素子を提供する。【解決手段】本実施形態の抵抗変化素子は、第1の電極28に隣接する抵抗膜21と、第2の電極29に隣接する抵抗膜22と、2つの抵抗膜21,22との間に挟まれ障壁膜23と、抵抗膜21,22内に添加される金属不純物24と、を具備し、金属不純物24は、電極28,29間に印加された電圧に起因する電界の向きに応じて、2つの抵抗膜21,22間を移動し、金属不純物24が抵抗膜21に存在する場合に、低抵抗状態を示し、金属不純物24が抵抗膜22に存在する場合に、高抵抗状態を示す。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の電極に隣接する第1の膜と、 第2の電極に隣接する第2の膜と、 前記第1の膜と前記第2の膜との間に挟まれた障壁膜と、 前記第1又は第2の膜内に添加される金属不純物と、を具備し、 前記金属不純物は、前記第1及び第2の電極間に印加された第1の電圧に起因する第1の電界の向きに応じて、前記第1及び第2の膜間を双方向に移動し、 前記金属不純物が前記第1の膜に存在する場合に、低抵抗状態を示し、 前記金属不純物が前記第2の膜に存在する場合に、高抵抗状態を示すことを特徴とする抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 49/00 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L49/00 Z ,  H01L45/00 Z

Fターム (14件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083ZA21