特許

J-GLOBAL ID：201203087672430371

有機トランジスタ素子用テンプレートおよびその製造方法、並びに有機トランジスタ素子およびその製造方法

発明者： 加納 正隆
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (2件)： 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-170604
公開番号（公開出願番号）：特開2012-033617
出願日： 2010年07月29日
公開日（公表日）： 2012年02月16日
要約：

【課題】厚みが制御された有機半導体層を形成することが可能であり、トランジスタ特性に優れた有機トランジスタ素子を製造することができる有機トランジスタ素子用テンプレートを提供することを主目的とする。【解決手段】基板と、上記基板上に形成され、親液化処理によって親液化される親液-疎液可変性材料からなる下地層と、上記下地層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記ソース電極およびドレイン電極の有機半導体層形成領域内の表面上に形成され、親液性材料からなる親液膜と、上記ソース電極およびドレイン電極の有機半導体層形成領域外の表面上に形成され、疎液性材料からなる疎液膜とを有し、上記下地層の表面が上記ソース電極およびドレイン電極間のチャネル領域内において親液性を示しかつ上記チャネル領域外において上記チャネル領域内よりも疎液性を示すことを特徴とする有機トランジスタ素子用テンプレートを提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成され、親液化処理によって親液化される親液-疎液可変性材料からなる下地層と、 前記下地層上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極およびドレイン電極の有機半導体層形成領域内の表面上に形成され、親液性材料からなる親液膜と、 前記ソース電極およびドレイン電極の有機半導体層形成領域外の表面上に形成され、疎液性材料からなる疎液膜と、 を有し、 前記下地層の表面が、前記ソース電極およびドレイン電極間のチャネル領域内において親液性を示し、かつ前記チャネル領域外において前記チャネル領域内よりも疎液性を示すことを特徴とする、有機トランジスタ素子用テンプレート。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (7件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 100A

Fターム (43件)：

5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06