特許
J-GLOBAL ID:201203089254949983

光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-087621
公開番号(公開出願番号):特開2012-222202
出願日: 2011年04月11日
公開日(公表日): 2012年11月12日
要約:
【課題】高温高湿下での過酷な環境で通電した状態で使用されても、光度が低下し難くかつダイボンド材の変色が生じ難い光半導体装置を得ることができる光半導体装置用ダイボンド材を提供する。【解決手段】本発明に係る光半導体装置用ダイボンド材は、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、白金のアルケニル錯体と酸化珪素粒子とを含む。上記白金のアルケニル錯体は、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体である。ダイボンド材中における比(アルケニル基の数/珪素原子に結合した水素原子の数)は、1.0以上、2.5以下である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有する第1のシリコーン樹脂と、 珪素原子に結合した水素原子を有さず、かつアリール基及びアルケニル基を有する第2のシリコーン樹脂と、 白金のアルケニル錯体と、 酸化珪素粒子とを含み、 前記白金のアルケニル錯体が、塩化白金酸6水和物と、6当量以上の2官能以上であるアルケニル化合物とを反応させることにより得られる白金のアルケニル錯体であり、 ダイボンド材中における前記シリコーン樹脂のアルケニル基の数のダイボンド材中における前記シリコーン樹脂の珪素原子に結合した水素原子の数に対する比が、1.0以上、2.5以下である、光半導体装置用ダイボンド材。
IPC (7件):
H01L 21/52 ,  C08L 83/05 ,  C08L 83/07 ,  C08K 3/36 ,  C08K 3/16 ,  H01L 33/48 ,  C08G 77/50
FI (7件):
H01L21/52 E ,  C08L83/05 ,  C08L83/07 ,  C08K3/36 ,  C08K3/16 ,  H01L33/00 400 ,  C08G77/50
Fターム (46件):
4J002CP04W ,  4J002CP14X ,  4J002DD076 ,  4J002DJ017 ,  4J002FD017 ,  4J002FD156 ,  4J002GQ05 ,  4J246AA03 ,  4J246BA04X ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB13X ,  4J246BB140 ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA230 ,  4J246CA24X ,  4J246CA330 ,  4J246CA34X ,  4J246CA390 ,  4J246CA40X ,  4J246FA071 ,  4J246FA131 ,  4J246FA221 ,  4J246FB051 ,  4J246FC161 ,  4J246GC00 ,  4J246GC12 ,  4J246GC52 ,  4J246HA29 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041DA01 ,  5F041DA07 ,  5F041DA16 ,  5F041DA19 ,  5F041DA25 ,  5F041DA36 ,  5F041DA78 ,  5F041DB09 ,  5F047AA11 ,  5F047BA33 ,  5F047BA40 ,  5F047BA51 ,  5F047BA54 ,  5F047CA08
引用特許:
審査官引用 (2件)

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