特許
J-GLOBAL ID:201203089730221071

半導体発光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝 ,  今 智司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-231345
公開番号(公開出願番号):特開2012-084779
出願日: 2010年10月14日
公開日(公表日): 2012年04月26日
要約:
【課題】光の高出力化及び取出効率並びに低動作電圧化を向上させることができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体発光素子1は、半導体積層体14の他方の表面側に積層された導電反射層9、半導体積層体14の一方の表面に形成された透明導電膜21、透明導電膜21の表面に形成された表面電極17を備える。表面電極17は、透明導電膜21の表面に形成される反射用電極層17a、外部配線に接続される接続用電極層17bの積層電極構造になっている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一方の表面及び他方の表面から光を照射する半導体積層体と、 前記半導体積層体の前記他方の表面側に積層されている金属反射層と、 前記半導体積層体の前記一方の表面に形成されている透明導電膜と、 前記透明導電膜の表面に形成される反射用電極層及び外部配線に接続される接続用電極層を積層した積層電極構造に形成されている表面電極と、 前記半導体積層体の一方の表面に分布する複数の分配電極と、 前記導電反射層と前記半導体積層体との間に設けられた誘電体層の内部において前記導電反射層と前記半導体積層体とを電気的に接続し、かつ、前記積層方向において前記複数の分配電極と重ならないように形成されている界面電極と、 を備える半導体発光素子。
IPC (2件):
H01L 33/38 ,  H01L 33/22
FI (2件):
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 172
Fターム (16件):
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F141AA03 ,  5F141AA24 ,  5F141CA35 ,  5F141CA37 ,  5F141CA46 ,  5F141CA65 ,  5F141CA93 ,  5F141CB15

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