特許

J-GLOBAL ID：201203090834673401

発光装置及びその製造方法

発明者： 高山 浩一
出願人/特許権者： スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 省三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-045906
公開番号（公開出願番号）：特開2012-182401
出願日： 2011年03月03日
公開日（公表日）： 2012年09月20日
要約：

【課題】配光制御を行うための発光ダイオード素子上の遮光部材、光反射材、被覆部材、吸収部材もしくは吸収性層は発光ダイオード素子の点灯時の100°Cを超える高温にさらされるので、材料は耐熱性材料たとえばセラミック、金属等を用い、製造コストの上昇を招き、また、発光ダイオード素子上の上述の材料の形状は発光ダイオード素子の形状に個別的に要求されるので、他の発光ダイオード素子に転用できない。【解決手段】配線基板1上に発光ダイオード素子2を実装する(図2の(A))。次に、発光ダイオード素子2上に波長変換材料(蛍光体)としてYAGを含有したジメチルシリコーンよりなるシリコーン樹脂層3を塗布もしくはマスク印刷で形成する(図2の(B))。最後に、シリコーン樹脂層3上をレーザ照射して変色させて変色部Xを形成する。この変色部Xは遮光部を形成して配光制御する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

配線基板上に発光ダイオード素子を実装する実装工程と、 前記発光ダイオード素子上に波長変換材料を含有した樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、 前記樹脂層の一部にレーザ照射により前記樹脂層の樹脂を変色させて遮光部を形成するレーザ照射工程と を具備する発光装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/58 ,  F21S 8/10

FI (2件)：

H01L33/00 430 ,  F21S8/10 150

Fターム (11件)：

3K243AA08 ,  3K243AB01 ,  3K243AC06 ,  3K243BA07 ,  3K243CD00 ,  3K243MA01 ,  5F041AA06 ,  5F041DA20 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041FF11