特許

J-GLOBAL ID：201203091378407598

高周波電力供給装置、プラズマ処理装置、及び半導体薄膜の製造方法

発明者： 池田 知弘 ,  滝 正和 ,  津田 睦 ,  藤原 伸夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-038868
公開番号（公開出願番号）：特開2012-174668
出願日： 2011年02月24日
公開日（公表日）： 2012年09月10日
要約：

【課題】電力利用効率を向上できる高周波電力供給装置、プラズマ処理装置、及び半導体薄膜の製造方法を得ること。【解決手段】高周波電力供給装置は、変動負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給装置であって、高周波電源と、前記高周波電源と前記変動負荷との間に配され、前記変動負荷からの反射電力を分離するサーキュレータと、前記サーキュレータにより分離された反射電力の位相及び振幅を調整する調整部と、前記高周波電源から出力された電力と前記調整部により調整された反射電力とを合成して前記サーキュレータへ出力する電力合成部とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

変動負荷に高周波電力を供給する高周波電力供給装置であって、 高周波電源と、 前記高周波電源と前記変動負荷との間に配され、前記変動負荷からの反射電力を分離するサーキュレータと、 前記サーキュレータにより分離された反射電力の位相及び振幅を調整する調整部と、 前記高周波電源から出力された電力と前記調整部により調整された反射電力とを合成して前記サーキュレータへ出力する電力合成部と、 を備えたことを特徴とする高周波電力供給装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/24 ,  H03F 3/20

FI (7件)：

H05H1/46 R ,  H05H1/46 M ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 C ,  C23C16/509 ,  C23C16/24 ,  H03F3/20

Fターム (38件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC16 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH01 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19 ,  5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AC36 ,  5J500AF20 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AK16 ,  5J500AK23 ,  5J500AK29 ,  5J500AK68 ,  5J500AS13 ,  5J500AT01