特許
J-GLOBAL ID：201203091945897275
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-183371
公開番号（公開出願番号）：特開2012-043954
出願日： 2010年08月18日
公開日（公表日）： 2012年03月01日
要約：
【課題】半導体素子表面から直接、高効率に放熱可能で、かつ蒸気流路と液流路を分離し、多孔質体内の流動距離を短縮化した低背冷却構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】回路基板2上に搭載された半導体素子3の背面上に直接、例えば微粒子噴射法、即ちガスデポジション法により多孔質膜7を形成し、これを含み回路基板を一方の面とする密閉空間13を構成する。本密閉空間の一の壁面開口部9と他の壁面開口部10とを管11で連結して密閉循環路を形成する。多孔質膜中の冷媒は半導体素子の高温で蒸気化して多層質膜から分離し、一の壁面開口部から管に入り、管内を循環して冷却され液化する。液化した冷媒は管を通過して他の壁面開口部から多孔質膜上に滴下される。この滴下冷媒は毛細管力で多孔質膜中を進み、再度半導体素子の熱により蒸気化する。この蒸気化潜熱により半導体素子を冷却する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路基板と、
一の面で前記回路基板上に接続された半導体素子と、
前記半導体素子の他の面上に直接形成された多孔質膜と、
前記回路基板上で前記半導体素子と前記多孔質膜を覆う密閉構造と、
前記多孔質膜に浸透した冷媒と、
前記密閉構造の前記多孔質膜と対向する二ヶ所に設けられた第1の壁面開口部及び第2の壁面開口部と、
前記第1の壁面開口部と前記第2の壁面開口部とを接続し、気化状態又は液化状態の前記冷媒が通過する密閉流路と
を、有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F136CC34
, 5F136CC35
, 5F136CC37
, 5F136FA70
, 5F136GA40
