特許
J-GLOBAL ID：201203092198453148

半導体受光素子

発明者：
堂本 新一

堂本 新一 について

, 
山日 竜二

山日 竜二 について


出願人/特許権者：
住友電工デバイス・イノベーション株式会社

住友電工デバイス・イノベーション株式会社 について


代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-091119
公開番号（公開出願番号）：特開2012-227215
出願日： 2011年04月15日
公開日（公表日）： 2012年11月15日
要約：
【課題】受光部とメサ部との間に樹脂膜が埋め込まれる構造であっても、入射光に対する光学的な影響を低減することが可能な半導体受光素子を提供すること。【解決手段】本発明は、n型InP基板10上に設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる受光部16と、n型InP基板10上に受光部16に隣接して設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなるダミーメサ部20a(電極接続部)と、受光部16の側面、ダミーメサ部20aの側面、および受光部16とダミーメサ部20aとの間のn型InP基板10を覆う第1絶縁膜26と、第1絶縁膜26上の受光部16とダミーメサ部20aとの間を埋め込む樹脂膜28と、受光部16の上面と直接接し、かつ樹脂膜28を覆う第2絶縁膜30と、を備える半導体受光素子である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる受光部と、 前記半導体基板上に前記受光部に隣接して設けられ、上面および側面を有する半導体構造からなる電極接続部と、 前記受光部の側面、前記電極接続部の側面、および前記受光部と前記電極接続部との間の前記半導体基板を覆う第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜上の前記受光部と前記電極接続部との間を埋め込む樹脂膜と、 前記受光部の上面と直接接し、かつ前記樹脂膜を覆う第2絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体受光素子。
IPC (1件)：
H01L 31/10
FI (1件)：
H01L31/10 A
Fターム (9件)：
5F049MA04 ,  5F049MA07 ,  5F049MB07 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049QA02 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049TA12
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開平3-171677
  • 半導体受光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-364604   出願人：浜松ホトニクス株式会社
  • 半導体発光装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-219046   出願人：松下電器産業株式会社
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