ヒドロシラン誘導体、その製造方法、ケイ素含有薄膜の製造法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-112373
公開番号（公開出願番号）：特開2012-126704
出願日： 2011年05月19日
公開日（公表日）： 2012年07月05日
要約：

【課題】500°C以下の低温でプラズマ等を用いなくても、ケイ素含有薄膜を効率良く作製できる材料を提供する。【解決手段】クロロシラン誘導体(3)と化合物M2Z(4)を反応させ、一般式(1’)(式中、R1及びR2は各々独立にアルキル基を表す。Zがイソシアナト基又はイソチオシアナト基の場合、M2はナトリウム原子等を表す。Zがアミノ基、の場合、M2は水素原子等を表す。Zがアルケニル基の場合、M2はハロゲン化マグネシウム基を表す。)で示されるヒドロシラン誘導体(1’)を製造し、これを材料としてケイ素含有薄膜を製造する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

一般式(1)

IPC (5件)：

C07F 7/10 , C23C 16/42 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , C07F 7/12

FI (5件)：

C07F7/10 T , C23C16/42 , H01L21/316 X , H01L21/318 B , C07F7/12 T

Fターム (24件)：

4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VQ89 , 4H049VR11 , 4H049VR21 , 4H049VR52 , 4H049VR53 , 4H049VS59 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030FA10 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF22 , 5F058BF29 , 5F058BF30

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