特許

J-GLOBAL ID：201203092874992596

半導体装置、固体撮像装置、半導体装置の製造方法、固体撮像装置の製造方法、電子機器

発明者： 宮波 勇樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-164125
公開番号（公開出願番号）：特開2012-028459
出願日： 2010年07月21日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

【課題】基板の深い領域における横方向の広がりを抑え、浅い領域より深い領域におけるサイズが小さくなる素子分離領域を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1に、素子分離領域6を有し、素子分離領域6は、径の異なる第1のトレンチ3、第2のトレンチ5が積層される。且つ、上層の第1のトレンチ3の底面の径よりも下層の第2のトレンチ5の開口部の径が小さい多段階のトレンチより構成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に、素子分離領域を有し、 前記素子分離領域は、径の異なるトレンチが積層され、且つ、上層のトレンチの底面の径よりも下層のトレンチの開口部の径が小さい多段階のトレンチより成る 半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/357 ,  H04N 5/374

FI (4件)：

H01L21/76 L ,  H01L27/14 A ,  H04N5/335 570 ,  H04N5/335 740

Fターム (33件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  5C024CX01 ,  5C024CX03 ,  5C024CY47 ,  5C024GY31 ,  5C024HX40 ,  5F032AA09 ,  5F032AA34 ,  5F032AA48 ,  5F032CA05 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA12 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53