特許
J-GLOBAL ID:201203093882273325
半導体光素子および半導体光装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
, 中野 晴夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-072664
公開番号(公開出願番号):特開2012-177696
出願日: 2012年03月28日
公開日(公表日): 2012年09月13日
要約:
【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置を提供する。【解決手段】温度検知部と、温度検知部に熱的に接続された吸収部10とを含み、吸収部10に入射した光を検出する半導体光素子であって、吸収部10が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部11および凸部を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
温度検知部と、該温度検知部に熱的に接続された吸収部とを含み、該吸収部に入射した光を検出する半導体光素子であって、
該吸収部が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部および凸部を有し、該特定波長の入射光の吸収量を、該特定波長以外の入射光の吸収量より大きくしたことを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (21件):
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA02
, 2G065BA34
, 2G065BB25
, 2G065BB43
, 2G065BB50
, 5F049MA01
, 5F049MB03
, 5F049NA01
, 5F049NA10
, 5F049NB10
, 5F049QA01
, 5F049QA20
, 5F049RA02
, 5F049RA10
, 5F049SE05
, 5F049SS03
, 5F049SS06
, 5F049SZ20
, 5F049WA01
引用特許:
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