特許
J-GLOBAL ID：201203094071074949

半導体装置およびその作製方法

発明者：
桑原 秀明

桑原 秀明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-006104
公開番号（公開出願番号）：特開2012-164976
出願日： 2012年01月16日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：
【課題】トランジスタの作製及び表示装置の作製に用いるフォトマスクの枚数を従来よりも少なくすることを課題の一とする。【解決手段】ゲート電極を形成する工程と、島状半導体層を形成するための工程を、1回のフォトリソグラフィ工程で行い、平坦化絶縁層を形成した後、コンタクトホールを形成する工程を1回のフォトリソグラフィ工程で行い、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と画素電極を形成する工程を1回のフォトリソグラフィ工程で行い、合計3回のフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のフォトマスクを用いた第1のフォトリソグラフィ工程により、ゲート電極と、島状の半導体層と、配線とを形成し、 第2のフォトマスクを用いた第2のフォトリソグラフィ工程により、前記配線を覆う絶縁層を選択的にエッチングしてコンタクトホールを形成し、 第3のフォトマスクを用いた第3のフォトリソグラフィ工程により、ソース電極と、ドレイン電極と、画素電極とを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (10件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/08 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/26
FI (14件)：
H01L29/78 627C ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/78 627B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616V ,  G02F1/1368 ,  H05B33/10 ,  H05B33/08 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/12 B ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/28 ,  H05B33/26 Z
Fターム (98件)：
2H092GA14 ,  2H092GA17 ,  2H092HA03 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA08 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092NA27 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD22 ,  3K107DD25 ,  3K107DD27 ,  3K107DD30 ,  3K107DD89 ,  3K107EE04 ,  3K107GG11 ,  3K107GG28 ,  5F110AA09 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL12 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN44 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (7件)
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