半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：玉村静世
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-231346
公開番号（公開出願番号）：特開2012-084780
出願日： 2010年10月14日
公開日（公表日）： 2012年04月26日
要約：

【課題】半導体ウエハにBG工程を施すと、研削された半導体ウエハの面に破砕層が形成される。この破砕層は、半導体ウエハの内部への不純物の侵入を抑制する効果を有している。一方、半導体装置の薄型化に伴い、半導体ウエハの厚さを更に薄くしなければならない。そのため、半導体ウエハの抗折強度は従来に比べて低下してきており、薄くなった半導体ウエハに破砕層が形成されていると、半導体ウエハにクラックが発生する恐れがある。そこで、半導体ウエハの抗折強度を向上するために、BG工程の後に、ストレスリリーフを行うことが有効とされている。しかし、破砕層を除去してしまうと、ゲッタリング効果は低下してしまう。【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造方法において、そのデバイス面に集積回路が形成されたウエハの裏面に対して、バックグラインディング処理を実行した後、裏面の破砕層が残存するように、同裏面に保護膜を形成するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

以下の工程を含む半導体装置の製造方法: (a)第1の厚さを有するとともに、第1および第2の主面を有し、前記第1の主面側に集積回路が形成された半導体ウエハを準備する工程; (b)前記半導体ウエハの前記第2の主面に対して、バックグラインディング処理を実施することにより、前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さにする工程; (c)前記工程(b)の後、前記半導体ウエハの前記第2の主面、または、その近傍に破砕層が残存するように、前記第2の主面に保護膜を形成する工程。

IPC (5件)：

H01L 21/304 , H01L 21/301 , H01L 21/78 , H01L 21/60 , H01L 21/56

FI (7件)：

H01L21/304 622P , H01L21/304 622J , H01L21/304 631 , H01L21/78 Q , H01L21/80 , H01L21/60 311Q , H01L21/56 T

Fターム (19件)：

5F044KK01 , 5F044KK16 , 5F044LL01 , 5F044QQ06 , 5F044RR16 , 5F057AA12 , 5F057BA15 , 5F057CA14 , 5F057CA25 , 5F057CA31 , 5F057CA38 , 5F057DA11 , 5F057DA38 , 5F057DA40 , 5F057EC10 , 5F057EC13 , 5F061AA01 , 5F061BA03 , 5F061CA21

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