特許

J-GLOBAL ID：201203095233668488

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 中村 吉延 ,  笹島 亮太 ,  太田 陽介 ,  赤江 尚徳 ,  高澤 裕真 ,  ▲ひろせ▼ 義朗
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-203018
公開番号（公開出願番号）：特開2012-059997
出願日： 2010年09月10日
公開日（公表日）： 2012年03月22日
要約：

【課題】 基板に対する原料ガスの供給を促し、基板上に形成される薄膜の成膜速度や膜厚均一性を向上させる。【解決手段】 基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、処理容器内に原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気管より排気する工程と、を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことで、基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、原料ガスを供給する工程では、原料ガスを供給する直前に、排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして排気管を一時的に閉塞する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

基板を収容した処理容器内に原料ガスを供給し排気管より排気する工程と、 前記処理容器内に前記原料ガスとは異なる反応ガスを供給し前記排気管より排気する工程と、 を1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことで、前記基板上に所定膜厚の薄膜を形成する工程を有し、 前記原料ガスを供給する工程では、前記原料ガスを供給する直前に、前記排気管に設けられたバルブを一時的にフルクローズして前記排気管を一時的に閉塞する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/318 C ,  H01L21/31 B ,  H01L21/316 X ,  C23C16/455

Fターム (56件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB09 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EF08 ,  5F045EF20 ,  5F045EG06 ,  5F045EK06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF80 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01