EUVL用マスクの製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：筒井大和 , 菅田篤志 , 筒井章子 , 中原亨 , 坂次哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-232851
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089580
出願日： 2010年10月15日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：

【課題】EUVL用マスクにおいて、効率よくかつ精度よくマスク欠陥の修正を行うことのできる技術を提供する。【解決手段】マスクブランクに対して位相欠陥検査を行い、マスクブランクに存在する位相欠陥の座標を特定した後、マスクブランクの表面に吸収体パターンを形成する。次いで、特定された座標で示される位相欠陥を含む領域の吸収体パターンを除去した後、吸収体パターンが除去された領域の光学像を計測し、その光学像に基づいて修正用の吸収体補償膜の形状を計算し、さらに、その吸収体補償膜の形状に基づいて、マスクブランクの表面の吸収体パターンが除去された領域に吸収体補償パターンを形成する。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

マスクブランクの表面に吸収体パターンが形成されたEUVL用マスクの製造方法であって、以下の工程を含むことを特徴とするEUVL用マスクの製造方法: (a)マスク基板の表面に多層膜を被着して前記マスクブランクを作製する工程; (b)前記マスクブランクに対して位相欠陥検査を行い、前記マスクブランクに存在する位相欠陥の座標を特定する工程; (c)前記(b)工程の後、前記マスクブランクの表面に前記吸収体パターンを形成する工程; (d)前記(b)工程で特定された前記座標で示される前記位相欠陥を含む領域の前記吸収体パターンを除去する工程; (e)前記(d)工程の後、前記吸収体パターンが除去された領域の光学像を計測する工程; (f)前記(e)工程で計測された前記光学像に基づいて、修正用の吸収体補償膜の形状を計算する工程; (g)前記(f)工程で計算された前記吸収体補償膜の形状に基づいて、前記マスクブランクの表面の前記吸収体パターンが除去された領域に吸収体補償パターンを形成する工程。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/22 , G03F 7/20

FI (3件)：

H01L21/30 531M , G03F1/16 A , G03F7/20 503

Fターム (12件)：

2H095BD03 , 2H095BD04 , 2H095BD17 , 2H095BD18 , 2H095BD33 , 2H097CA15 , 2H097GB01 , 2H097LA10 , 5F046GD01 , 5F046GD11 , 5F146GD01 , 5F146GD11

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