特許

J-GLOBAL ID：201203096216350748

メモリ素子

発明者： 大森 広之 ,  細見 政功 ,  別所 和宏 ,  肥後 豊 ,  山根 一陽 ,  内田 裕行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-146804
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009786
出願日： 2010年06月28日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】記録を安定に保持できながら少ない電流で記録が可能であり、且つ実用に供し得るスピン注入電流で情報を記録するメモリ素子を提供するものである。【解決手段】磁化方向が決められた参照層4と、記録情報に依存して磁化方向が変化する記録層5と、参照層4と記録層5との間に設けられた非磁性層6とを有し、スピン注入電流で情報を記録層5に記録するメモリ素子積層体7を有する。さらに、メモリ素子積層体7の側部に設けられた圧電体11と、圧電体11に電界を印加する手段とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

磁化方向が決められた参照層と、 記録情報に依存して磁化方向が変化する記録層と、 前記参照層と前記記録層との間に設けられた非磁性層と を有して、スピン注入電流で情報を前記記録層に記録するメモリ素子積層体と、 前記メモリ素子積層体の側部に設けられた圧電体と、 前記圧電体に電界を印加する手段と を備えたメモリ素子。

IPC (7件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/193 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (8件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L41/08 U ,  H01L41/18 102 ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C

Fターム (12件)：

4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119CC08 ,  4M119DD17 ,  4M119DD24 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB90 ,  5F092BC04