特許

J-GLOBAL ID：201203096256968140

不揮発性記憶素子及びその製造方法並びに不揮発性記憶装置

発明者： 早川 幸夫 ,  三河 巧
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-114209
公開番号（公開出願番号）：特開2012-244017
出願日： 2011年05月20日
公開日（公表日）： 2012年12月10日
要約：

【課題】不揮発性記憶素子の初期化電圧のばらつきの発生を抑えつつ、従来に比べて初期化電圧の低減を図ることができる抵抗変化型の不揮発性記憶素子を提供する。【解決手段】第1の層間絶縁層102、下部電極105、上部電極107及び抵抗変化領域106を備え、抵抗変化領域106は積層された第1の抵抗変化領域106bと第2の抵抗変化領域106aを有し、第1の抵抗変化領域106bは第1の遷移金属酸化物で構成され、第2の抵抗変化領域106aは第2の遷移金属酸化物で構成され、第2の遷移金属酸化物の酸素不足度は第1の遷移金属酸化物の酸素不足度より小さく、抵抗変化領域106の上面は上部電極107と接し、抵抗変化領域106の底面は下部電極105及び第1の層間絶縁層102と接し、抵抗変化領域106の底面と下部電極105の接する面の面積は抵抗変化領域106の上面と上部電極107の接する面の面積より小さい。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層と接するように前記絶縁層上に形成された下部電極と、上部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に介在し、前記上部電極と前記下部電極との間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化領域とを備え、 前記抵抗変化領域は、積層された第1の抵抗変化領域と第2の抵抗変化領域とを有し、 前記第1の抵抗変化領域は、第1の遷移金属酸化物で構成され、 前記第2の抵抗変化領域は、第2の遷移金属酸化物で構成され、 前記第2の遷移金属酸化物の酸素不足度は、前記第1の遷移金属酸化物の酸素不足度よりも小さく、 前記抵抗変化領域の上面は、前記上部電極と接し、 前記抵抗変化領域の底面は、前記下部電極及び前記絶縁層と接し、 前記抵抗変化領域の底面と前記下部電極との接する面の面積は、前記抵抗変化領域の上面と前記上部電極との接する面の面積より小さい 不揮発性記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00 ,  G11C 13/00

FI (4件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z ,  G11C13/00 110R

Fターム (23件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA03 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA02 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR10 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21