特許

J-GLOBAL ID：201203096473558716

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 堀井 貞義
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-022514
公開番号（公開出願番号）：特開2012-164736
出願日： 2011年02月04日
公開日（公表日）： 2012年08月30日
要約：

【課題】生産性よく、半導体装置の不良の少ない高品質な膜を形成でき、歩留りの低下を防止できる基板処理装置及び半導体製造装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板を処理する複数の処理室と、前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、を有する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板を処理する複数の処理室と、 前記各処理室内へ原料を供給する原料供給系と、 前記各処理室内へ反応剤を供給する反応剤供給系と、 前記原料供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる原料供給部と、 前記反応剤供給系に設けられ前記複数の処理室で共用とされる反応剤供給部と、 基板を収容した前記各処理室内に前記原料と前記反応剤とを交互に供給して前記基板を処理すると共に、前記原料供給部と前記反応剤供給部とを前記各処理室で時間分割して用いるように、前記原料供給系、前記反応剤供給系、前記原料供給部および前記反応剤供給部を制御する制御部と、 を有することを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/31 B ,  H01L21/314 A ,  H01L21/316 X ,  C23C16/455

Fターム (55件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030KA02 ,  4K030KA08 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF10 ,  5F045BB08 ,  5F045DC63 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045DQ17 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EK07 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BG01 ,  5F058BG10 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10