特許

J-GLOBAL ID：201203096555084968

半導体ウェハのダイシングライン加工方法および半導体チップの製造方法

発明者： 針貝 篤史 ,  廣島 満 ,  奥根 充弘
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (3件)： 田中 光雄 ,  鮫島 睦 ,  岡部 博史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-271478
公開番号（公開出願番号）：特開2012-124211
出願日： 2010年12月06日
公開日（公表日）： 2012年06月28日
要約：

【課題】半導体ウェハのプラズマダイシング工法において、エッチングによる溝の加工形状のバラツキを抑制する。【解決手段】ダイシングライン部において、ブレードを用いて、金属層を含む配線形成層を除去して、半導体層を露呈させるとともに配線形成層の端縁より金属層を露出させる配線形成層除去工程と、それぞれのチップ部を覆うようにマスクを配置して、ダイシングライン部において、半導体層が露出された状態を維持しながら露出された金属層をマスクで覆うマスク配置工程と、その後、半導体ウェハに対してマスクの配置側表面よりプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、マスクより露出した半導体層を掘り下げるエッチング工程とを実施して、それぞれのチップ部を個々の半導体チップに分割する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

半導体層と、半導体層上に配置されかつ金属層を含む配線形成層と、ダイシングライン部により画定される複数のチップ部とを備える半導体ウェハに対して、ダイシングライン部にて各々のチップ部を個別に分割するための溝を形成するダイシングラインの加工方法であって、 ダイシングライン部において、ブレードを用いて、金属層を含む配線形成層を除去して、半導体層を露出させるとともに配線形成層の端縁より金属層を露出させる配線形成層除去工程と、 それぞれのチップ部を覆うようにマスクを配置して、ダイシングライン部において、半導体層を露出させながら、露出された金属層をマスクで覆うマスク配置工程と、 半導体ウェハに対してマスクの配置側表面よりプラズマエッチングを行って、ダイシングライン部において、マスクより露出した半導体層を除去して溝を形成するエッチング工程をとを含む、ダイシングラインの加工方法。

IPC (1件)：

H01L 21/301

FI (4件)：

H01L21/78 S ,  H01L21/78 L ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/78 F