特許

J-GLOBAL ID：201203096969639830

圧力によって超伝導体から絶縁体へ遷移する超伝導体薄膜を用いた圧力検出装置

発明者： 鈴木 孝至
出願人/特許権者： 国立大学法人広島大学
代理人 (1件)： 松山 隆夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2008002069
公開番号（公開出願番号）：WO2010-013294
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月04日
要約：

圧力検出装置(30)は、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜(11〜14)のうち、絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜(12〜14)を電流計(242,252,262)によって検出し、その検出した超伝導体薄膜(12〜14)の臨界圧力のうち、最大の臨界圧力を容器(10)内の圧力として検出する。

請求項（抜粋）：

10K以下の絶対温度に保持された容器と、 前記容器内に配置され、超伝導体から絶縁体へ遷移する臨界圧力が相互に異なる複数の超伝導体薄膜と、 前記複数の超伝導体薄膜のうち、前記超伝導体から前記絶縁体へ遷移した超伝導体薄膜を検出し、その検出した超伝導体薄膜の前記臨界圧力のうち最大の臨界圧力を前記容器内の圧力として検出する検出器とを備える圧力検出装置。

IPC (5件)：

G01L 7/00 ,  G01L 1/00 ,  H01L 39/22 ,  H01L 39/00 ,  H01L 29/84

FI (5件)：

G01L7/00 Z ,  G01L1/00 Z ,  H01L39/22 D ,  H01L39/00 A ,  H01L29/84 Z

Fターム (18件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC59 ,  2F055DD19 ,  2F055EE39 ,  2F055FF49 ,  2F055GG49 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA41 ,  4M112CA42 ,  4M112EA20 ,  4M112FA20 ,  4M113AA02 ,  4M113AA12 ,  4M113AA22 ,  4M113AC08 ,  4M113AC44