特許

J-GLOBAL ID：201203097512567503

半導体ウエハおよび半導体装置

発明者： 三浦 広平 ,  猪口 康博 ,  稲田 博史
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (2件)： 特許業務法人ハートクラスタ ,  渡辺 征一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-146614
公開番号（公開出願番号）：特開2012-009777
出願日： 2010年06月28日
公開日（公表日）： 2012年01月12日
要約：

【課題】本発明は、GaSb基板上に形成された、表面性状の良好なMQWを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置10は、GaSb基板1の上に、(InAs/GaSb)が繰り返し積層されたMQW3を有し、GaSb基板の面方位が(100)であり、かつ(111)A方向に0.1°以上10°以下のオフ角がついていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

GaSb基板の上に、(InAs/GaSb)が繰り返し積層された多重量子井戸構造を有する半導体ウエハであって、 前記GaSb基板の面方位が(100)であり、かつ(111)A方向に0.1°以上10°以下のオフ角がついていることを特徴とする、半導体ウエハ。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (15件)：

5F049MA01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB07 ,  5F049NB10 ,  5F049PA03 ,  5F049PA04 ,  5F049QA02 ,  5F049QA16 ,  5F049QA18 ,  5F049RA02 ,  5F049SE05 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01