特許

J-GLOBAL ID：201203098046563370

半導体装置の製造方法

発明者： 河野 基之
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-252751
公開番号（公開出願番号）：特開2012-104695
出願日： 2010年11月11日
公開日（公表日）： 2012年05月31日
要約：

【課題】高アスペクト比のホール内に、良好なステップカバレッジを有する均一な膜厚の窒化シリコン層を形成する。【解決手段】ホールを形成後、1回の第1サイクルと、1回以上の第2サイクルを行う。第1サイクルでは、ホールの上部内壁上に2原子層の第1のシリコン層、ホールの下部内壁上に1原子層の第1のシリコン層を形成後、ホール上部のシリコン層の表面を1分子層の第1の酸化シリコン層とする。ホールの下部内壁上の第1のシリコン層に更に、1原子層の第2のシリコン層を形成後、窒化処理によりホールの内壁全面に第1の窒化シリコン層を形成する。第2サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に1分子層の第2の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第1の窒化シリコン層上に1原子層の第4のシリコン層を形成する。この後、窒化処理により、ホールの内壁全面に第2の窒化シリコン層を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

絶縁膜内にホールを形成する工程と、 ALD法による、下記工程(a-1)〜(h-1)からなる第1サイクルを1回、行う工程と、 (a-1)シリコンソースガスを供給して、前記ホール内の全面に第1のシリコン層を形成すると共に前記ホールの上部に形成される前記第1のシリコン層の膜厚が前記ホールの下部に形成される前記第1のシリコン層の膜厚よりも厚くなるように、前記第1のシリコン層を形成する工程、 (b-1)前記シリコンソースガスをパージする工程、 (c-1)酸化性ガスを供給して、前記ホールの上部に形成された前記第1のシリコン層の表面を第1の酸化シリコン層に変換する工程、 (d-1)前記酸化性ガスをパージする工程、 (e-1)シリコンソースガス及びHClガスを供給することにより、前記ホールの下部に露出した前記第1のシリコン層上に更に第2のシリコン層を形成する工程、 (f-1)前記シリコンソースガス及びHClガスをパージする工程、 (g-1)窒化ソースガスを供給して、前記ホールの上部に形成された前記第1のシリコン層及び前記第1の酸化シリコン層と、前記ホールの下部に形成された前記第1のシリコン層及び前記第2のシリコン層と、を窒化シリコン層に変換することにより、前記ホール内の全面に第1の窒化シリコン層を形成する工程、 (h-1)前記窒化ソースガスをパージする工程。 ALD法による、下記工程(a-2)〜(h-2)からなる第2サイクルを1回以上、行うことにより、前記ホールの内壁上の前記第1の窒化シリコン層上に、更に第2の窒化シリコン層を形成する工程と、 (a-2)シリコンソースガスを供給して、前記ホールの上部に形成された前記第1の窒化シリコン層上に第3のシリコン層を形成する工程、 (b-2)前記シリコンソースガスをパージする工程、 (c-2)酸化性ガスを供給して、前記第3のシリコン層を第2の酸化シリコン層に変換する工程、 (d-2)前記酸化性ガスをパージする工程、 (e-2)シリコンソースガス及びHClガスを供給することにより、前記ホールの下部に露出した前記第1の窒化シリコン層上に第4のシリコン層を形成する工程、 (f-2)前記シリコンソースガス及びHClガスをパージする工程、 (g-2)窒化ソースガスを供給して、前記ホールの上部に形成された前記第2の酸化シリコン層と、前記ホールの下部に形成された前記第4のシリコン層と、を窒化シリコン層に変換することにより、前記第1の窒化シリコン層上に前記第2の窒化シリコン層を形成する工程、 (h-2)前記窒化ソースガスをパージする工程。 を有する半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L21/318 B ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 671B ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/205

Fターム (56件)：

4K030AA06 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045CA05 ,  5F045EE19 ,  5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BC08 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF34 ,  5F058BF37 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD31 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA14 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21